生长结晶

1、3分钟了解晶体生长技术

固相生长法：在不添加组分的情况下，于低温下实现晶体生长，如再结晶、烧结生长等。技术特点：熔体生长法能够制备出高质量的单晶材料。溶液生长法易于生长大块均匀晶体，但生长周期长且控温精度高。气相生长法可获得高纯度、良好晶体完整性的材料，但生长速度较慢且控制因素多。固相生长法生长过程简单，晶

2、冷坩埚法冷坩埚法生长晶体的原理

此法与传统技术不同，晶体生长并不在高熔点金属材料制成的坩埚内进行，而是利用原料自身作为坩埚。原料内部熔化，外部则设有冷却装置，形成一层未熔化的外壳，作为支撑。内部熔化的晶体材料，依靠冷坩埚下降脱离加热区，随着温度逐渐下降，晶体开始结晶并生长。立方氧化锆的熔点高达2750℃，几乎没有材料能承受...

3、晶体生长技术气相生长法

晶体生长技术气相生长法是用于晶体生长的一种方法，通常包括升华和化学气相输运过程。升华法是将固体直接转变为气相，然后在低温区域重新凝结成晶体，此过程不经过液态阶段。例如，砷、磷以及化合物如ZnS、CdS等，可以通过升华法获得单晶。如图7所示，材料源在高温区域升华，晶体在低温区域凝结。化学气相输运技...

晶体生长总结

熔体生长技术：提拉法、悬浮提拉、顶部籽晶提拉：利用定向籽晶，便于观察和控制生长过程，有效降低应力。坩埚下降法：适用于特殊材料如碱金属，密封性好，自动化程度高，但对加热与传动系统要求高。区熔法：局部加热实现结晶，适用于提纯和高熔点材料生长，温场控制复杂。射频加热技术：要求原料具有特定电阻...

3分钟了解晶体生长技术

固相生长法在不添加组分的情况下，于低温下实现晶体生长。此法优点在于生长过程简单、晶体形状固定且易于控制取向。固相生长法主要包括利用退火消除应变的再结晶、利用烧结生长、利用多形性转变生长、利用退玻璃化再结晶及利用固态沉淀再结晶等。晶体生长技术的分类可以从宏观和微观两个角度进行。宏观上，晶体...

晶体生长机制及生长速度

1.连续生长机制 这里讨论的是粗糙界面上的连续生长，粗糙界面上处处都是生长位置，流体中原子几乎是连续地进入界面上的结晶位置，故粗糙界面的生长称为“连续生长”。当稳定晶核形成以后，在一定的温度和过饱和度条件下，晶体按一定的速度生长。晶体生长类似扩散过程，它取决于分子或原子从熔体（液相）中分...

晶体生长实验方法

从低温溶液（从室温到75°C左右）中生长晶体是一种最古老的方法。该方法就是将结晶物质溶于水中形成饱和溶液，再通过降温或蒸发水分使晶体从溶液中生长出来。在工业结晶中，从海盐、食糖到各种固体化学试剂等的生产，都采用了这一技术。工业结晶大多希望能长成具有高纯度和颗粒均匀的多晶体，生长是靠自发...

晶体生长总结

泡生法则的创新 泡生法，仿佛提拉法的变奏曲，通过熔体冷却和晶体旋转的方式，巧妙地减少了应力，但这种工艺可能带来热冲击的风险。它强调了内部结晶过程和温度控制对生长质量的决定性影响，为晶体生长提供了新颖的策略。晶体生长的艺术在于精细的平衡和精准的控制，每一项技术都在为探索物质世界的微观秩序...

碳化硅(SIC)晶体生长方法之——化学气相沉积法的详解;

微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态良好的高质量硬质薄膜和晶体，利用电磁波能量激发反应气体，避免高能粒子辐照造成的损伤。高温化学气相沉积（HTCVD）是碳化硅晶体生长的重要方法，适用于在密闭反应器中进行的高温下化学反应，生成固态晶体膜。中温化学气相沉积（MT...

晶体生长人工合成晶体

人工合成晶体的途径多样，其中包括溶液培养和高温高压同质多像转变。例如，水热法是在高温高压下通过过饱和溶液培育出水晶、刚玉、绿柱石等上百种晶体，其过程在高压釜中进行，通过温度差驱动溶液的对流和结晶。提拉法则是直接从熔体中拉出单晶，通过提拉杆在熔体中移动，控制晶体生长。这种方法成功制备了...