硼掺入硅

1、在硅单晶中掺入硼,形成P型半导体,掺？

【答案】：B 在硅(Si)单晶中掺入硼(B)，形成的是p型半导体；掺入磷(P)，形成的是型半导体。硼(B)的价电子带都只有三个电子，是受主杂质，电子能够更容易地由硅(Si)的价电子带跃迁到硼传导带。在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称

2、有关于硼原子作为受主被掺杂入纯硅晶体中的疑问？

当硼原子被作为受主掺杂入纯硅晶体中时，它确实需要一个额外的电子与第四个硅原子形成共价键。这个过程涉及到复杂的电子转移和重新组合，但可以通过下面的过程进行解释：在硼原子被掺杂入硅晶体中后，硅晶体中的一些硅原子会失去一个电子，这些失去的电子被称为“空穴”。这些空穴可以在晶体中自由移动...

3、在纯净的硅中掺入相同数量硼原子和磷原子,这时的硅是P型还量N型？百 ...

硼原子是三价元素，磷原子是五价元素。两种原子添加到硅中时，它们会替代部分硅原子。在这个过程中，硼会形成"空穴"（缺少电子），而磷会形成额外的电子。1. 当硼掺入硅中时，每个硼原子会缺少一个电子以达到硅的四价状态，从而形成一个空穴。这些空穴可以被周围的电子填补，这样硅就呈现出P型半导体...

4、在硅中参杂硼和磷,迁移率的选择

而在半导体内，空穴的迁移率远远小于电子的迁移率，常温下，硅中空穴迁移率为450cm/V/S，电子迁移率为1450cm/V/S，所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说，硅体内掺相同剂量的磷和硼，比如1E15cm-3，则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米，而掺硼的P型半导体电阻率则为10...

5、什么叫重掺杂及其效应

以硼原子掺入硅为例，由于硼的能级与硅价带之间的能隙仅为0.045电子伏特，远远小于硅本身的1.12电子伏特能隙，因此在室温条件下，掺入硅中的硼原子可以实现完全的电离。这种掺杂技术对于制造各种半导体器件至关重要。重掺杂能够提高半导体的导电性能，使其在电子器件中发挥重要作用。通过精确控制掺杂浓度...

“在硅中掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴”这句话中说的掺入是要...

应该指的是在晶体中掺入，人工造成晶体缺陷，因为硼比硅少一个电子 在

硅为什么能将太阳能转换成电能

当硅晶体中掺入其他杂质时，会发生奇妙的化学变化。例如，掺入硼原子后，硅晶体内部会形成一个空穴，硼原子周围只有3个电子，这种结构使得该区域呈现出蓝色。这个空穴因为没有电子而变得不稳定，容易吸收电子而中和，从而形成了P型半导体。另一方面，当磷原子被掺入硅晶体时，由于其有五个电子，其中一个...

“p型硅”和“n型硅”分别掺杂什么元素？

纯净的硅更像是绝缘体，而不是导体，当它被施加外部作用时(比如外加电压)，没有能力改变其导电状态。所以必须往硅里面掺杂其它的元素，现在最重要的两个元素是---硼B和磷P。当硅片被掺入硼或磷时，它的导电性就显著的改变了。通常情况下，一个纯硅片中是没有自由电子的，它所有的四个价电子都被...

硅太阳能电池结构

硅太阳能电池的结构中，关键组成部分是PN结。PN结是通过在硅晶体中掺入硼或磷等杂质形成的。掺入硼时，硅晶体中会产生空穴，形成P型半导体，这些空穴渴望得到电子来中和。相反，磷原子导致N型半导体，其中电子过剩。当P型和N型半导体结合，它们在交界处形成电势差，因为P型半导体富含空穴，而N型半导体富含...

硅的两个掺杂状态是什么？

P型和N型硅都是通过掺杂过程得到的。在P型硅中，硅被掺入三价元素（如硼），这些元素有三个价电子可以形成共价键，但缺少一个电子来填满硅的价带，因此形成了“空穴”，电子可以跳入这个空穴，使得空穴向反方向移动，形成了电流。而在N型硅中，硅被掺入五价元素（如磷），这些元素有一个额外的...