多晶硅耗尽？

1、MOSFET中使用多晶硅电极为什么会出现多晶硅耗尽效应？

因为当多晶硅的掺杂浓度有限时，其上存在压降，则其中就会有电场，从而二氧化硅界面附近处的电子即容易被电场吸引到栅金属电极一侧，导致界面附近处出现耗尽层。多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成

2、多晶硅的转化效率为什么比单晶硅低

多晶硅在晶片面积上有许多晶界和缺陷，以及密度更高的杂质聚集区，作为光生载流子的少子（电子或正电荷），其要穿过晶片一定深度（耗尽区）才能形成电流，从而表现为光生电效率。然而，由于上述晶界和缺陷等对少子起到陷阱作用，使少子复合湮灭，平均少子寿命降低，从而降低了可能达到的光电转换效率。单晶在整...

3、什么是poly

poly effect - 多晶硅栅耗尽效应

场效应管的类型

标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体...

集成电路的制造工艺有哪些？

集成电路器件尺寸不断缩小，面临硅耗尽效应和量子隧穿效应的挑战。为解决这一问题，业界开发出HKMG工艺，分为HK和MG两部分，HK使用高介电常数材料替代传统SiO2或SiON，改善量子隧穿效应；MG使用金属栅替代多晶硅栅，改善硅耗尽效应。HKMG工艺主要有先栅工艺和后栅工艺两种分类。先栅工艺中，使用高介电常数...

集成电路制造工艺杂谈(一)HKMG技术概论

先栅工艺技术，即金属嵌入多晶硅栅工艺技术（MIPS），在高K介质和多晶硅栅极之间嵌入金属层，解决金属嵌入多晶硅栅极工艺中的栅耗尽现象，并通过功函数覆盖层解决费米能级钉扎效应。工艺流程主要包括沉积SiON膜、淀积高K介质HfSiO并经过高温氮化形成HfSiON、沉积作为NMOS上覆盖层的[公式]以及作为PMOS上覆盖层...

全面认识MOS管,一篇文章就够了

一、MOS管基本概念 定义：MOS，是MOSFET的缩写，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的电子器件。 引脚名称：G、S、D。 分类归属：MOS管属于场效应管的一种。二、MOS管分类 按沟道分类：PMOS管和NMOS管。 按材料分类：耗尽型和增强型。其中增强型又分为增强型PMOS和增强型NMOS；耗尽型又...

HKMG(HighK 栅氧化物层 +Metal Gate)技术

多晶硅与高K介质界面形成的耗尽层加大了TOX，对性能不利，同时，存在阈值电压钉扎和声子散射等效应，使多晶硅栅与高K介质不兼容，影响低阈值和迁移率。Intel的45nm工艺转而采用金属栅以解决这些问题，并减少栅电阻。金属栅在暴露于高温源/漏形成阶段时会熔化，但若在源和漏之后形成栅，会失去自对准优势...

聚焦HKMG工艺,探究中国28nm制程技术升级路径

其中，HKMG工艺作为28nm制程的主要技术方向之一，因其能有效解决一系列问题，如栅介质薄弱导致的漏电或多晶硅栅耗尽效应，并提供较佳效能表现，而多被用于运算速度取向的高阶电子产品，如CPU、FPGA、存储器等。然而，鉴于中国集成电路制造企业在28nm研发和量产实力与全球先进水平的差距，发展HKMG工艺技术成为了...

集成电路HKMG工艺简介(Gate First/Gate Last)

HKMG工艺包括高介电常数（High-K）材料和金属栅（Metal Gate）两部分。高介电常数材料（如HfO2）替代传统的SiO2或SiON，以增加物理厚度，改善量子隧穿效应。金属栅替代多晶硅栅，以减少硅耗尽效应。工艺分为先栅（Gate First）和后栅（Gate Last）两种。先栅工艺先制作高介电层和金属栅，再制作其他结构...