硅样品中掺入硼和磷的区别

1、在纯净的硅中掺入相同数量硼原子和磷原子,这时的硅是P型还量N型？百 ...

硼原子是三价元素，磷原子是五价元素。两种原子添加到硅中时，它们会替代部分硅原子。在这个过程中，硼会形成"空穴"（缺少电子），而磷会形成额外的电子。1. 当硼掺入硅中时，每个硼原子会缺少一个电子以达到硅的四价状态，从而形成一个空穴。这些空穴可以被周围的电子填补，这样硅就呈现出P型半导体的特性，因为电荷运输是由空穴（...

2、在硅(Si)单晶中掺入硼(B),可形成n型半导体;掺入磷(P),可形成p型半导体...

在硅(Si)单晶中掺入硼(B)，形成的是p型半导体；掺入磷(P)，形成的是型半导体。硼(B)的价电子带都只有三个电子，是受主杂质，电子能够更容易地由硅(Si)的价电子带跃迁到硼传导带。在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴...

3、n型掺杂一般掺入哪些元素？

n型掺杂一般掺入：磷元素 当硅片被掺入硼或磷时，它的导电性就显著的改变了。通常情况下，一个纯硅片中是没有自由电子的，它所有的四个价电子都被锁住在与相邻硅原子的共价键中，由于没有自由电子，外加电压几乎无法导致电子流过硅片。把磷加入到硅晶片中后，情况将发生改变。与硅不同，磷有五个...

P型半导体是在纯净的半导体中掺入磷元素还是硼元素？

纯净的半导体加入五价的磷元素，硅是四价原子，磷原子在硅的晶格中会电离出一个电子，磷原子带正电，电子作为载流子，所以是是N型半导体；掺杂三价硼，硼在硅的晶格中会缺少一个电子，硼带负电，产生空位处是空穴载流子，所以是P型半导体；

硅扩散硼和磷失配比

0.75。根据查询万方数据网显示，磷原子半径为0.110nm，硼的原子半径为0.082nm，硅原子半径为0.118nm，相对于磷，硼与硅的不匹配比例为0.75，在扩散过程中产生晶格张力，导致硼在硅中的扩散速率与固溶度要大幅低于磷。

在硅中参杂硼和磷,迁移率的选择

而在半导体内，空穴的迁移率远远小于电子的迁移率，常温下，硅中空穴迁移率为450cm/V/S，电子迁移率为1450cm/V/S，所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说，硅体内掺相同剂量的磷和硼，比如1E15cm-3，则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米，而掺硼的P型半导体电阻率则为10...

什么叫重掺杂及其效应

根据掺杂元素的不同，本征半导体的能隙中会出现不同的能级。对于施主原子，它们会在靠近导带的地方引入新的能级；而受主原子则会在靠近价带的地方引入新的能级。以硼原子掺入硅为例，由于硼的能级与硅价带之间的能隙仅为0.045电子伏特，远远小于硅本身的1.12电子伏特能隙，因此在室温条件下，掺入硅...

硼磷硅玻璃PSG和BPSG

硼磷硅玻璃是在磷硅玻璃基础上改进的新型玻璃材料，两者主要存在以下区别：回流温度：PSG：制备过程中需要极高的回流温度，大约为1100℃。BPSG：通过引入硼，有效降低了回流温度，通常在800到950℃之间。杂质浓度与硅片变形：PSG：高温回流可能导致扩散过程中的杂质浓度增加，同时可能引发硅片的变形问题。BPSG...

杂质半导体的杂质半导体的导电特性

这样，在掺入磷的半导体中，自由电子的数目就远远超过了空穴数目，成为多数载流子（简称多子），空穴则为少数载流子（简称少子）。显然，参与导电的主要是电子，故这种半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。二、P型半导体　在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了...

谁知道P型硅片和N型硅片的区别？

首先N型和P型的区别在于在做PN节的时候，P型用的是磷扩散而N型用的是硼离子注入法，硼离子注入法要比磷扩散工艺上难很多。再一个是P型的少子时电子，N型少子是空穴，硅锭中的杂质和位错对电子的捕获原大于空穴，造成P型的转换效率低于N型的。